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NTGD3148N
5
6
5
2.4 V - 3.0 V
2.2 V
V GS = 2.0 V
4
V DS ≥ 10 V
4
4.5 V
1.8 V
3
T J = 125 ° C
3
2
2
1.6 V
T J = 25 ° C
1
0
1.4 V
1
0
T J = -55 ° C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.08
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.38
0.34
0.3
I D = 3.5 A
T J = 25 ° C
0.07
0.06
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
0.26
0.05
0.22
0.18
0.14
0.1
0.06
0.02
0.04
0.03
0.02
0.01
0
V GS = 4.5 V
1
2
3 4
5
6
2
3
4 5
6
7
1.5
V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance vs. Voltage
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current
and Gate Voltage
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
I D = 3.5 A
V GS = 4.5 V
1000
100
10
T J = 125 ° C
T J = 150 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
7
12
17
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation vs.
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
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